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技術參數：

附加激發源

Ar-Ion 激光器(488 and 514nm) 50-100mW
DPSS 激光器(532nm) 100-300mW
He-Ne 激光器(632.8nm) 20mW
NIR 激光器(785nm) 100mW

其它探測器

線陣CCD 探測器 (2048象素) 400-900nm
InGaAs 陣列探測器(NIR512象素) 900-1700nm
高性能低噪聲制冷CCD 探測器(-75C)
(1024 x 128 或 1024 x 256 象素)
PMT 探測器組 (190-900nm)
系統空間分辨率（TEMoo模式）
50um(***般應用)
10um(10x M-plan 透鏡)
1um 光束尺寸，在微PL或拉曼系統上的100x M-plan 鏡頭
用于低溫PL的低溫制冷系統

主要特點：
 

高性能、低成本光致發光測量系統
寬光譜范圍（UV-VIS-NIR）
簡單的設計和校準
低噪聲和高PL信號探測靈敏度
多激發光源可選
容易找到峰值和FWHM參數
用于聚焦和準直的熔石英透鏡組
用于激光線屏蔽的截至濾波片組
1微米精度的電動XY調節臺組
2”和4”晶片架
小型凹面全息光譜儀
1024象素低噪聲陣列探測器
25mm x 2500mm象素尺寸，16比特，USB接口
包括系統控制器，控制和繪圖

此系統可獨立進行PL光譜測量，也可以拓展成PL-Raman光譜儀組合,多功能的系統,極高的性能價格比,是光譜研究的有力工具. 

應用領域： 

常規的光致發光測量； 
III-V族化合物半導體材料光致發光測量； 
熒光性； 
LD, LED外延晶片PL掃描測量；