描述：MGFS38G38L2，
GAN HEMT與N-channel schottkygate，是為S-band基站設計的。
高電壓操作：VDS=50V=DED=THE THE OUTUCTION THE OUTUCTION
POWER：38DBM=TYPE=38DBM=38DBM=PSAT，F=3.5GHZ，
Single Path=HHE Efficiency=60%（（*）=PSAT，F=3.5GHZ，
SINGHE PSAT=PSAT，F=3.5GHZH=5GHZ=SING，SIN=50V=30MA
與硅產品相比，GaN和GaAs基FET是對靜電放電（ESD）更敏感的產品。應用ESD可能導致產品故障。請小心處理產品，采取防靜電措施，如腕帶、接地臺/地板、電離器等。
MGFS38G38L2規格書下載： 
mgfs38g38l2_v04.pdf
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滬公網安備31011502016460號
