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硒化鎵晶體 GaSe晶體 太赫茲晶體

價  格:詢價

產  地:俄羅斯更新時間:2020-10-30 14:02

品  牌:屹持光電技術型  號:GaSe

狀  態:正常點擊量:1026

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硒化鎵晶體 GaSe晶體 太赫茲晶體

產品簡介

GaSe硒化鎵是***種暗棕色閃光的片狀晶體。相對密度5.03,熔點(960±10)℃。GaSe和GaS***樣是層狀結構半導體,隨著溫度的降低,GaSe光電效應***大值向短波方向移動。硒化鎵作為***種非線性晶體和光電導體,通常被應用于這些方面:于CO2激光器的二次諧波的產生,CO2激光器頻率上轉換至近紅外或可見光,中紅外波段的光學混頻,以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產生。同時GaSe晶體也可以被用來產生太赫茲輻射。

GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。

注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的***個很大限制在于質軟,易碎。



產品參數


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